Polovodičové snímače tlaku možno rozdeliť do dvoch kategórií, jedna je založená na princípe, že I-υ charakteristika polovodičového PN prechodu (alebo Schottkyho prechodu) sa pri namáhaní mení. Výkon tohto prvku citlivého na tlak je veľmi nestabilný a nebol príliš vyvinutý. Druhým je snímač založený na polovodičovom piezorezistívnom efekte, ktorý je hlavnou varietou polovodičového snímača tlaku. V prvých dňoch boli polovodičové tenzometre väčšinou pripevnené k elastickým prvkom na výrobu rôznych nástrojov na meranie napätia a napätia. V 60. rokoch 20. storočia sa s rozvojom technológie polovodičových integrovaných obvodov objavil polovodičový tlakový snímač s difúznym odporom ako piezorezistívnym prvkom. Tento druh snímača tlaku má jednoduchú a spoľahlivú štruktúru, žiadne relatívne pohyblivé časti a prvok citlivý na tlak a elastický prvok snímača sú integrované, čo zabraňuje mechanickému oneskoreniu a tečeniu a zlepšuje výkon snímača.

Piezorezistívny efekt polovodiča Polovodič má charakteristiku súvisiacu s vonkajšou silou, to znamená, že odpor (znázornený symbolom ρ) sa mení s namáhaním, ktoré znáša, čo sa nazýva piezorezistívny efekt. Relatívna zmena odporu pri pôsobení jednotkového napätia sa nazýva piezorezistívny koeficient, ktorý je vyjadrený symbolom π. Vyjadrené matematicky ako ρ/ρ = π σ.

Kde σ predstavuje napätie. Zmena hodnoty odporu (R/R) spôsobená odporom polovodiča pod napätím je určená hlavne zmenou odporu, takže vyjadrenie piezorezistívneho efektu možno zapísať aj ako R/R=πσ.

Pôsobením vonkajšej sily vzniká v polovodičových kryštáloch určité napätie (σ) a deformácia (ε) a vzťah medzi nimi je určený Youngovým modulom (Y) materiálu, teda Y=σ/ε.

Ak je piezorezistívny efekt vyjadrený napätím na polovodiči, je to R/R=Gε.

G sa nazýva faktor citlivosti tlakového snímača, ktorý predstavuje relatívnu zmenu hodnoty odporu pri jednotkovej deformácii.

Piezorezistívny koeficient alebo faktor citlivosti je základným fyzikálnym parametrom polovodičového piezorezistívneho javu. Vzťah medzi nimi, rovnako ako vzťah medzi napätím a deformáciou, je určený Youngovým modulom materiálu, teda g = π y.

V dôsledku anizotropie elasticity polovodičových kryštálov sa Youngov modul a piezorezistívny koeficient menia s orientáciou kryštálu. Veľkosť polovodičového piezorezistívneho efektu tiež úzko súvisí s rezistivitou polovodiča. Čím nižší je odpor, tým menší je faktor citlivosti. Piezorezistívny účinok difúzneho odporu je určený orientáciou kryštálov a koncentráciou nečistôt difúzneho odporu. Koncentrácia nečistôt sa týka hlavne koncentrácie povrchových nečistôt v difúznej vrstve.