Senzory tlaku polovodičov možno rozdeliť do dvoch kategórií, jedna je založená na princípe, že i-9 charakteristiky polovodičovej križovatky PN (alebo Schottky Junction) sa menia stresom. Výkon tohto prvku citlivosti na tlak je veľmi nestabilný a nebol veľmi rozvinutý. Druhým je senzor založený na polovodičových piezorezistívnych účinkoch, ktorý je hlavnou škálou poloduktorového tlakového senzora. V prvých dňoch boli polovodičové prvotné meradlá väčšinou pripojené k elastickým prvkom, aby sa vytvorili rôzne prístroje na meranie napätia a namáhania. V 60. rokoch 20. storočia, s vývojom technológie polovodičovej integrovanej obvodu, sa objavil polovodičový tlakový senzor s difúznym odporom, ako je piezorezistívny prvok. Tento druh tlakového senzora má jednoduchú a spoľahlivú štruktúru, žiadne relatívne pohyblivé časti a tlakový prvok a elastický prvok senzora sú integrované, čo sa vyhýba mechanickému oneskoreniu a tečúcej a zlepšuje výkon senzora.

Piezorezistívny účinok polovodičového polovodiča má charakteristiku súvisiacu s vonkajšou silou, to znamená, že odpor (reprezentovaný symbolom ρ) zmeny so stresom, ktorý nesie, čo sa nazýva piezorezistívny účinok. Relatívna zmena odporu pri pôsobení jednotkového napätia sa nazýva piezorezistický koeficient, ktorý vyjadruje symbol π. Matematicky vyjadrené ako ρ/ρ = π σ.

Kde σ predstavuje stres. Zmena hodnoty odporu (R/R) spôsobená polovodičovým odporom pri napätí je určená hlavne zmenou odporu, takže expresia piezorezistívneho účinku je možné tiež napísať ako r/r = πσ.

Pri pôsobení vonkajšej sily sa v polovodičových kryštáloch generuje určité napätie (σ) a kmeň (ε) a vzťah medzi nimi je určený Youngovým modulom (y) materiálu, tj y = σ/ε.

Ak je piezorezistívny účinok vyjadrený napätím na polovodič, je to r/r = gε.

G sa nazýva faktor citlivosti senzora tlaku, ktorý predstavuje relatívnu zmenu hodnoty odporu pri jednotkovom kmebe.

Piezorezistický koeficient alebo faktor citlivosti je základným fyzickým parametrom polovodičových piezorezisívnych účinkov. Vzťah medzi nimi, rovnako ako vzťah medzi stresom a napätím, je určený Youngovým modulom materiálu, tj g = π y.

Kvôli anizotropii polovodičových kryštálov v elasticite, Youngov modul a piezorezistívny koeficient sa menia s kryštálovou orientáciou. Rozsah polovodičových piezorezisívnych účinkov úzko súvisí s odporom polovodiča. Čím nižší je odpor, tým menší je faktor citlivosti. Piezorezistívny účinok difúznej rezistencie je určený kryštálovou orientáciou a koncentráciou nečistoty difúzneho odporu. Koncentrácia nečistôt sa týka hlavne koncentrácie povrchovej nečistoty difúznej vrstvy.